据媒体报道，Infineon宣布，可扩展的氮化炮（GAN）生产技术的12英寸（300mm）晶圆器已成功获得了该轨道。该公司计划在2025年第四季度开始向客户提供第一个示例。Infineon强调，它将其作为直立的合并 - 与 - 制造商（IDM）确保更高质量的产品，更快的市场时间以及良好的灵活性和开发。该公司已经掌握了三种基本材料制造的300mm晶片的技术：硅（SI），碳化硅（SIC）和硝酸盐（GAN）。 GAN半导体可以通过增加电力密度，更快的过渡速度和较低的功率损失益处，因此可以实现更紧凑的设计，从而大大降低了能量和加热电子设备的消耗，例如智能手机充电器，太阳能逆变器，工业和人形机器人机器人。 Infineon是世界上第一家的半导体制造商在现有基础架构中成功开发了300mm GAN晶圆技术。与当前的主流200mm晶圆相比，300mm晶圆生产技术更为先进，更好。较大的晶圆直径将每个晶片的芯片输出增加到原始晶片的2.3倍。同时，有传言称TSMC是晶圆铸造厂的领导者，将离开Gan Wafer Foundry Market，而中国台湾的Hsinchu的相关生产线将停止。 TSMC确认了有关数字的新闻，并指出，经过全面的审查后，它决定根据市场行为以及对公司业务的长期方法的考虑，在未来两年内逐渐从Gan Wafer Foundry的业务中删除。 TSMC表示，它正在与客户紧密合作，以确保在转会期间正确完成业务交换。 [本文的结尾]如果您需要打印，请确保指示来源：Kuai技术编辑：Lujiao